1. (2018·威海模拟) 锗是一种重要的半导体材料。工业上用精硫锗矿（主要成分为GeS₂ ， 杂质不反应）制取Ge，其工艺流程如图所示：

回答下列问题：

1. （1） 开始将精硫锗矿粉碎的目的是。
3. （2） 高温焙烧精硫锗矿的化学方程式为。
5. （3） 热还原真空挥发炉内反应的化学方程式为。
7. （4） 在沉锗过程中，当温度为90℃，pH为14时，加料量（CaCl₂/Ge质量比）对沉锗的影响如表所示，选择最佳加料量为（填“10-15”“15-20”或“20-25”），理由是。

   编号	加料量（CaCl2/Ge）	母液体积 （mL）	过滤后液含锗（mg/L）	过滤后液 pH	锗沉淀率（%）
   1	10	500	76	8	93.67
   2	15	500	20	8	98.15
   3	20	500	2	11	99.78
   4	25	500	1.5	12	99.85

9. （5） 某温度时，沉锗得到的CaGeO₃在水中的沉淀溶解平衡曲线如图所示。下列说法错误的是。

   

   a．n点与p点对应的K_sp相等

   
   

   b.通过蒸发可以使溶液由q点变到p点

   
   

   c.q点无CaGeO₃沉淀生成

   
   

   d.加入Na₂GeO₃可以使溶液由n点变到m点

11. （6） CaGeO₃与强酸反应可得到H₂GeO₃。0.1mol•L^－1的NaHGeO₃溶液pH（填“＞”“=”或“＜”）7，判断理由是（通过计算比较）。（25℃时，H₂GeO₃的K_a1=1.7×10^－9 ， K_a2=1.9×10^－13。）